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士兰微:SiC项目进展顺利

3月前
【士兰微:SiC项目进展顺利】 士兰微公告,2024年加快推进“士兰明镓6英寸SiC功率器件芯片生产线”项目建设,目前已形成月产9000片6吋SiC MOS芯片的生产能力。基于自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块已累计出货量5万只。同时,推进“士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片生产线”项目建设,8吋SiC mini line已通线,Ⅱ代SiC芯片试流片成功,良品率明显高于6吋。主厂房及其他建筑物正在进行净化装修,预计2025年4季度实现全面通线并试生产。

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